Beneq TFS 200 專為學術和企業研發而設計，是一款用途廣泛的原子層沉積 （ALD） 平臺，可在真正的 ALD 模式下提供卓越的薄膜質量。
該系統的模塊化架構允許進行廣泛的升級，確保它可以隨著您的研究需求而發展，無論多么復雜。 Beneq TFS 200 支持在各種基板上沉積，包括晶圓、平面物體、多孔材料和具有高深寬比 （HAR） 功能的復雜 3D 結構，即使在最苛刻的應用中也能實現精確鍍膜。
先進的 PEALD 功能
Beneq TFS 200 標配直接和遠程等離子體增強原子層沉積 （PEALD）。利用電容耦合等離子體 （CCP） 源（行業標準），它有助于從研發到生產環境的平穩過渡。該系統支持在最大 200 mm 的基板上進行 PEALD 工藝。
針對效率和精度進行了優化
• 純 ALD 模式經過優化，可實現快速、精確的薄膜生長
• HAR 功能適用于具有挑戰性的結構，例如通孔和多孔襯底
• 冷壁真空室內的熱壁反應室，可實現均勻的熱量分布和快速的腔室更換
• 全面的升級選項，滿足高級研究需求
• 裝載鎖、盒式裝載機和手套箱，用于在受控氣氛下快速傳輸基板
技術信息：
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產品 |
TFS 200型 |
TFS 500型 |
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尺 寸： |
1325毫米 x 600毫米 x 1298毫米（L*W*H） |
1800毫米 x 900毫米 x 2033毫米（L*W*H） |
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用 法： |
研究、生產 |
研究、生產 |
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集 成： |
裝載鎖、盒式裝載機、集群或手套箱 |
裝載鎖、盒式裝載機、集群或手套箱 |
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溫度范圍： |
25-500 °C |
25 – 500 °C |
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極低蒸氣 壓前驅體: |
是的 |
是的 |
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ALD 模式: |
熱原子層沉積、低流 HAR、流化床、遠程等離子體 ALD、直接等離子體原子層沉積 |
熱 ALD、遠程等離子體 ALD、直接等離子體 ALD |
示例應用：
• 用于阻擋應用的 Al2 O3 ALD
• 半導體應用中的 HfO2、SiO2 和 SiN ALD
• 用于光伏電池的 SnO2 ALD
• 用于超導體應用的 TiN 和 NbN ALD模塊
